錦です。
Samsung Electronicsは、24Gbpsのデータクロックを実現するGDDR6メモリを発表しました。
24Gbps GDDR6
Samsungの24Gbps GDDR6メモリは、同社のEUV 10nmプロセス、1znmプロセスルールで製造されます。これまで、24Gbpsを実現するメモリはGDDR6Xしかなく、GDDR6で24Gbpsを実現するのはこれが初めてとなります。また、GDDR6Xを製造しているのはMicronだったので、Samsungが24Gbpsメモリを発表するのはこれが初めて何じゃないですかね。
スタックあたりの容量は最大16Gbit＝2GBになっているとのことです。
また、この製品には低電力オプションが備わっており、パフォーマンスの要件に応じて動作電圧を調整するDynamiv Voltage Switching（DVS）Technologyを搭載しており、業界標準の1.35V GDDR6メモリより、低い1.1Vの電圧で20Gbpsや16Gbpsに調整することができるようになっています。これにより業界標準と比較して最大20%電力効率が高くなっているとのこと。
今月から出荷
Samsungは今月からサンプリング出荷を開始するとのこと。おそらく、NVIDIAの次期GPU「GeForce RTX 40」シリーズや、NVIDIA RTX Aの後継ラインナップ、RDNA 3などに採用される見込みです。
なお、主なターゲットとして、HPC・ゲーミング・ラップトップ向けとしています。
