錦です。
Samsungが、DDR5の後継となるDDR6メモリと、次世代のGPU向けメモリGDDR7メモリについて話していることがわかりました。
DDR6
Alder Lake-SとともにIntel Z690チップセットが登場したことにより、DDR5が利用できるプラットフォームがついに登場しましたが、DDR6はそのDDR5の後継となるプラットフォームです。DDR6は現時点でまだ、標準化団体JEDECによる正式な規格には至っておらず、Samsungの独自開発段階ですが、同社はDDR6メモリについて情報を共有しています。
まず、DDR6ではDDR5に比べて2倍の速度と帯域幅を提供するとのこと。DDR6のデフォルトでの帯域幅は12800Mbit/sになるとのこと。同社は、この技術自体が開発初期段階であることから、数値が変更される可能背があるとしつつも、Computer Baseは17000Mbit/sまでオーバークロックされたDDR6の登場を期待しています。オーバークロックされた数値についてもDDR5の2倍の数字になっています。
DDR6はモジュールごとに4つのチャネルを備えており、メモリバンクはDDR4の4倍となる64に増加するとしています。
GDDR7
GDDR7についてはそれほど多くの情報は共有されませんでした。あえて言うなら、メモリ速度が32Gbpsになり、リアルタイムエラー保護機能を備えていることが明らかになった格好です。
こちらについても実用化は少し先の話になりそうで、そもそもGDDR6自体もまだGPUで2世代くらいでしか使われていないので、この先2〜3世代はGDDR6になると見られます。
メモリ速度が32Gbpsに達することで、256bitメモリインターフェイスで1TB/s、384bitで1.5TB/s、512bitで2TB/sもの帯域幅を持つことができます。GDDR7が来る頃にはミドルレンジのGPUでもメモリ帯域がRTX 3090を超えるレベルに達するということを意味しています。
GDDR6+
GDDR6はすでにGDDR6Xに派生した規格が存在していますが、GDDR6+についても今回明らかになりました。こちらは、製造が目前に迫っており、GeForce RTX 40番台やRadeon RX 7000番台で採用される可能性がある規格です。
GDDR6は現状18Gbps、GDDR6Xは21Gbpsの速度が発揮できますが、GDDR6+では24Gbpsに達するそう。
これにより、メモリインターフェイスが320bit/352bit/384bitのようなハイエンドなメモリを採用するGPUでの帯域幅が1TB/sを超えることができるようになるそうです。GDDR7のように2TB/sのようなメモリにはならないようですが、それでもHBM2レベルに高速にはなります。
HBM3
HBM3も製造が目前に迫っているメモリで、Samsungは2022年第2四半期に製造を開始する予定担っているとのこと。
HBM3について、SK Hynixが仕様について紹介しているのでそれを取り上げます。
HBM3について
HBM3は、スタックあたりの最大容量が24GBになり、HBM2eの16GBやHBM2の8GBから大幅に増加することになります。ただ、JEDECはHBM3の最終仕様を発表していないので未だに定まっていない状態です。
SK Hynixは、最初のテストから仕様を公開しており、速度は5.2Gbps〜6.4Gbpsになるとのこと。Anand Techによると、最大の帯域幅は819.2GB/sになるそう。
その他、ECCメモリがデフォルトの機能になるともしています（これはSK Hynixだけ？）。
HBMメモリ自体は、徐々に活躍の幅を広げており、先日IntelからSapphire Rapidsの一部ラインナップに64GB HBM2eメモリを内蔵することが発表されました。
関連リンク
- ComputerBase
- via VideoCardz , Wccftech
- Anand Tech
- via Wccftech
- SK Hynix
