Samsungは、社説としてAI時代におけるDRAM戦略を説明しました。

HBMとAI

Samsungは、高性能HBMをAI時代の重要なコンポーネントに位置づけています。2016年に同社は業火初のHPC用のHBMを商品化し、以降、GDDR5より8倍高速のHBM2の発表、3Dスタッキング技術の実証などを重ね、HBM2e、HBM3の量産、そして現在最新のHBM3eの開発へと繋げています。HBMは、NVIDIA H100のようなAI時代の主要なAIアクセラレートに用いられており、重要位置づけである事がわかります。

HBM3eはまもなく顧客へのサンプルの提供を開始するとしています。

そして、同じリリースの中で、非導電性フィルム（NCF）アセンブリや、ハイブリッド銅接合（HCB）などの開発中の高熱特性に最適化された技術を備えたHBM4が2025年までに導入される予定であることを明らかにしました。

Samsungは更に、ビジネスユニット間の相乗効果を最大化するために、2023年初等にAdVanced Package（AVP）ビジネスチームを立ち上げ、HBMと並行して、HPVとAI時代に最適な2.5D/3Dの高度なパッケージソリューションを含む、高度なカスタムターンキーパッケージサービスを提供するとしています。

DDR5

DDR5についても述べられています。

32ギガビットのDDR5 DRAMは40年前に開発された64キロビットDRAMの50万倍もの容量を持ちます。アーキテクチャの強化によって、同じパッケージ内で16ギガビットDRAMの容量が実質的に倍増し、貫通電極（TSV）を使用しない128GBモジュールの製造が可能になったとしています。

更に新しいDDR5 DRAMは最大1TBのモジュールの実装を可能にするそう。ターゲットとしているのはやはり、大容量を必要とするデータセンターや、MR-DIMM、最近データセンターでの導入が注目されているCXLメモリモジュールなどの将来のメモリソリューションになるとしています。大容量のDDR5メモリは特にデータセンターやHPCで注目されており、よりスケーラブルな構成を提供する鍵になると私は見ています。

製造技術についても、同社のDDR5に採用されている12nmクラスのDRAMは業界の最先端であり、前世代と比較して、生産性を約20%向上させるとしています。この技術は、最大7.2Gbpsをサポートしながら、卓越した性能と電力効率を実現するとしています。