錦です。
Samsung Electoronicsは、Samsung Foundry Forumにて将来的な半導体製造についての計画を発表しました。
1.4nmを2027年までに
Samsungは今年7月にGAAFETを採用した3nmプロセスでの製造を開始したことを明らかにしていますが、今回の発表はその後継となる世代の話となっています。
同社は、Samsung 2nmについて2025年までの、Samsung 1.4nmについて2027年までの量産開始を目標にすることを明らかにしました。
その他、2.5Dや3Dの異種混合（ヘテロジニアス）パッケージングについても、開発をすすめることを明らかにいました。また、マイクロバンプ配線の「X-Cube」という3Dパッケージング技術が2024年に大量生産の準備が整うことと、バンプレスの3Dパッケージング技術「Bump-less X-Cube」が2026年に量産が可能になる予定であることも発表されています。
モバイル以外にも注力
Samsungは、モバイル中心となっている生産割合を、HPCや自動車、5G、IoTなどに高性能で低電力の半導体市場に注力していくことも明らかにしました。HPCやモバイル向けのGAA 3nmプロセスを強化していくとともに、HPCや自動車向けに特化した4nmプロセスを更に多様にしていくとしています。
また、信頼性を高めるため、2024年に14nmのeNVMソリューションを、将来的には8nmのeNVMをリリースする予定です。その他、14nm RFに続いて、8nm RFを量産しているとし、5nm RFも開発が進んでいるとしました。
生産力の増強
Samsungは、2027年までに今年と比較して高度なプロセスの生産力を3倍以上に増強するとしています。現在、韓国の器興、華城、平沢と米国のオースティンとテイラーに向上がありますが、テキサス州テイラーに新たに工場が建設されているそうです。
そして、生産力（工場の建築）についてはクリーンルームから構築し、製造設備を後から増設することによって柔軟に増築することができるとしています。
