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Samsung、3nm GAAプロセスでの製造を開始

錦です。

Samsungは、6月30日より3nm GAAプロセスでの初期製造を開始したことを発表しました。

3nm GAA

Samsungの3nmプロセスは、Gate-All-Around(GAA)トランジスタアーキテクチャを採用したMulti-Bridge-ChannelFET(MBCFET)を製造します。FinFETからのアップグレードによって、電圧を下げることができ電力効率が向上する他、駆動電流能力を高めることでパフォーマンスも向上するとしています。

同社の独自技術であるチャネル幅の広いナノシートを利用することで、チャネル幅の狭いナノワイヤーを利用する他社のGAAに比べてより高性能で高効率を可能にするほか、このナノシートのチャネル幅をスケールすることによって顧客のニーズに合わせた消費電力や性能に最適化できるとしています。

このMBCFETを採用するSamsung 3nmプロセスの第1世代では、5nmと比較して消費電力を最大45%削減し、性能は23%向上、面積を16%削減するとしています。また、第2世代3nmについも語られており、こちらでは消費電力を50%、性能を30%向上、面積を35%向上させることができるとしています。

展開

3nmはまずHPC向けに提供が開始されます。その後モバイル向けにも展開される予定であることがあかされています。

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