Samsung Semiconductorは、最大42.5 Gbpsで駆動する24 Gb GDDR7を発表しました。

GDDR7

GDDR7は次世代のGPU向けのメモリ規格で、GDDR6XやGDDR6Dを含むGDDR6の後継となります。次世代のグラフィックカードに採用されるメモリ規格であり、より広い帯域で、ついに1TB/s帯域が当たり前になってくる、一昔前のHBM並の性能を持つことになります。

Samsungが発表したGDDR7メモリは、業界で初めての24 Gbit GDDR7で、1スタックで3 GBの容量を持つことになります。同社は昨年、16 Gbit GDDR7メモリを発表していましたが、それよりも大容量かつ高速なモデルということになります。

速度の面では、GDDR7の規格どおりのPAM3信号を採用しており、40Gbpsの速度を実現しています。これによって使用環境によっては42.5Gbpsの速度を実現できることになります。もし、GeForce RTX 4090のように384-bitインターフェイスで42.5 Gbpsで駆動すると、2,040 GB/sの速度で通信できることになります。

さらに、モバイル向けのDRAM技術をいくつか採用しており、クロック制御やデュアルVDD設計などの手法を実装することで、不要な電力消費を削減することにより、電力効率が30%以上向上しているとしています。

高速動作時の動作安定性を高めるために、今回発表されたGDDR7メモリはパワーゲーティング設計技術を使用し、リーク電流を最小限に抑えているそうです。

製造の面では、第5世代10nmクラスDRAMを採用しており、前世代と同じパッケージサイズながらセル密度を50%向上させることに成功したとしています。